Центры люминесценции, образующиеся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации и последующего отжига

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Введение
Глава 1. СПОСОБЫ МОДИФИКАЦИИ И СВОЙСТВА
МОДИФИЦИРОВАННЫХ СТРУКТУР БьБЮг.
1.1. Способы получения наноструктур.
1.2. Моделирование роста кластеров в процессе отжига
1.3. Свойства модифицированных слоев 8Ю2
1.3.1. Люминесцентные свойства.
Структуры 8Г8Ю2 подвергнутые имплантации
Структуры 8Г8ЮХ
Структуры 8ь8Ю2, подвергнутые имплантации ве, С
1.3.2. Структурные свойства
Структуры 8ь8Ю2 подвергнутые имплантации
Структуры 8ь8Юх
Структуры 8Ю2, подвергнутые имплантации Ое, С.
1.4. Модели центров люминесценции в 8Ю2.
1.5. Электронная структура кластеров
Выводы из главы 1.
Глава 2. ИССЛЕДУЕМЫЕ СТРУКТУРЫ И МЕТОДЫ
ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Исследуемые образцы
2.2. Метод электролюминесценции.
2.2.1. Общая схема и принцип работы экспериментальной установки.
2.2.2. Методика исследования электролюминесценции
в системе электролитдиэлектрикполупроводник
2.3. Метод вольтфарадных характеристик
2.4. Система элсктролитдиэлектрикполупроводник.
Глава 3. ЦЕНТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ
88Ю2, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
3.1. Люминесцентные свойства структур 88, подвергнутых ионной имплантации.
3.2. Зарядовые характеристики структур 88, подвергнутых ионной имплантации.
3.3. Дефектообразование в структурах 88Ю2 в процессе
ионной имплантации
3.3.1. Особенности дефектообразования при ионной имплантации
3.3.2. Образование центров люминесценции в результате
ионной имплантации
3.3.3 Возбуждение электролюминесценции в структурах
88, подвергнутых ионной имплантации
Выводы из главы 3.
Глава 4. ЦЕНТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ
88, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
И ИОСТИМПЛАНТАЦИОННОМУ ОТЖИГУ.
4.1. Люминесцентные свойства структур ii, подвергнутых ионной имплантации и отжигу
4.2. Зарядовые характеристики структур ii, подвергнутых ионной имплантации и отжигу
4.3. Влияние отжига на люминесцентные свойства модифицированных слоев i
4.3.1. Поведение центров люминесценции образованных
ионной имплантацией при отжиге
4.3.2. Формирование центров люминесценции в результате
4.3.3. Возбуждение электролюминесценции в структурах, подвергнутых постимплантационному отжигу
Выводы из главы 4
Глава 5. КИНЕТИКА ЗАТУХАНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ ii, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ.
5.1. Модели основных механизмов возбуждения ЭЛ.
5.2. Кинетика затухания полосы 2,7 эВ
Выводы из главы 5
Заключение
Список литературы