- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование экситонных спектров поглощения в полупроводниковых кристаллах с учетом ангармонизма фононов
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
135
Артикул:
181681 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников
- Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга
- Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
- Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
- Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
- Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах
- Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии
- Моделирование физических процессов в мощных многослойных структурах на основе карбида кремния