- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1999
Кількість сторінок:
155
Артикул:
182679 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
- Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии
- Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами
- Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
- Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников
- Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs_1-yN_y и In_xGa_1-xAs_1-yN_y твердых растворах
- Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6
- Электронный парамагнитный резонанс дефектов и примесей в кремнии с различным изотопным составом
- Оптическая ориентация и люминисценция в легированных полупроводниках
- Влияние эффекта Яна-Теллера на упругие, магнитные и электронные свойства слаболегированных лантан-стронциевых манганитов