- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1999
Кількість сторінок:
155
Артикул:
182679 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников
- Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (λ=2-5 мкм)
- Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи
- Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии
- Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
- Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния
- Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
- Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ