- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Артикул:
7226 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Магнитные и деформационные процессы в полупроводниковых структурах с магнитными слоями для микромеханических устройств
- Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями
- Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
- Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
- Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
- Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
- Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами
- Эффективность белого свечения гетероструктур на основе твердого раствора InGaN с люминофором
- Встраивание мышьяка и фосфора при молекулярно-лучевой эпитаксии твёрдых растворов (AIII)PxAs1-x