- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
133
Артикул:
135641 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Изучение низкоразмерных структур металлов (Au, In и Mn) на поверхности кремния
- Эффекты памяти в спиновой динамике двумерных электронов
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
- Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции
- Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур
- Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках
- Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп
- Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
- Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами
- Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)As