Оглавление
Введение
Актуальность проблемы.
Основные задачи.
Научная новизна и практическая значимость.
Основные положения, выносимые на защиту.
Апробация работы
Глава 1. Обзор литературы
1.1. Эпитаксиальные диэлектрики
1.2. Рост фторидов из молекулярных пучков
1.3. Эпитаксия СаЬ2 1.
1.3.1. Режимы роста при высокой температуре
1.3.2. Режимы роста при низкой температуре.
1.3.3. Атомная структура интерфейса СаРг Б1.
1.3.4. Электронная структура интерфейса Сар2 5 1
1.4. Особенности роста СчГг на 51
1.5. Эпитаксия Сар2 З1
1.6. Эпитаксия СаР2 0.
1.7. Фотолюминесценция редкоземельных ионов во фторидах
1.7.1. Метод люминесцентного зонда.
1.7.2. Нестационарные эффекты в фотолюминесценции
Глава 2. Экспериментальные методики
2.1. Технологическая установка для выращивания фторидов
2.1.1. Вакуумное оборудование
2.1.2. Держатель образца.
2.1.3. Молекулярные источники
2.1.4. Дифракция электронов
2.1.5. Калибровка скорости роста по осцилляциям ДБЭ
2.1.6. Калибровка скорости роста по лазерному интерферометру.
2.1.7. Калибровка скорости роста по кварцевому толщиномеру.
2.1.8. Програмное обеспечение для управления технологической установкой
2.2. Фотоэлектроная спектроскопия.
2.3. Спектроскопия девозбуждения метастабильных атомов Не.
2.4. Фотолюминесценция
2.5. Атомносиловая микроскопия.
2.5.1. Принцип работы атомносилового микроскопа.
2.5.2. Оптимизация параметров измерения
2.5.3. Особенности проведения измерений на воздухе.
2.5.4. Разрешение микроскопа.
2.6. Физикохимическая подготовка подложек
Глава 3. Неравновесный характер формирования ростовой поверхности 1 фторидов кальция и кадмия
3.1. Структура исходной поверхности i 1
3.2. Влияние температуры роста на морфологию слоев 2
3.3. Образование пирамидальной структуры .
3.4. Морфология гетероструктур 2 I.
3.5. Выводы.
Глава 4. Люминесцентные свойства сверхрешеток 2 2.
4.1. Нестационарное поведение фотолюминесценции Ей2 в сверхрешетках V. 2
4.2. Модель туннельной фотоионизации ионов Ей2.
4.3. Сопоставление экспериментальных результатов с модельным представлением
4.4. Особенности эффекта затухания фотолюминесценции 2 в сверхрешетках 22
4.5. Выжигание спектральных провалов в сверхрешетках 2. 2
4.6. Выводы
Глава 5. Наноструктуры СаБ2 81
5.1. Поверхность подложки 81
5.2. Рост наноразмерных островков СаРОО при низких температурах
5.2.1. Морфология наноструктур.
5.2.2. Дифракционные данные
5.2.3. Электронные свойства
5.2.4. Атомная структура низкотемпературного интерфейса
5.3. Рост нитей СаРПО при высоких температурах.
5.3.1. Морфология наноструктур.
5.3.2. Дифракционные данные
5.3.3. Высокотемпературный интерфейсный слой.
5.3.4. Электронные свойства
5.3.5. Атомная структура высокотемпературного интерфейса.
5.4. Особенности роста при промежуточных температурах.
5.5. Фотолюминесценция т2 в наноструктурах
5.6. Выводы.
Основные результаты и выводы
Благодарности.
Список работ, вошедших в диссертацию
Список цитируемой литературы
- Київ+380960830922