- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
105
Артикул:
136579 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронная структура сплавов переходных металлов в приближении нелокального псевдопотенциала
- Исследование 3He в аэрогелях методом ЯМР
- Мессбауэровские исследования валентного и структурного состояний атомов железа в природных и синтетических минералах : везувианах, ферритах-гранатах и цирконолитах
- Композитоподобное поведение сплавов, упорядоченных после сильной пластической деформации
- Нелинейный отклик и нелинейная когерентная генерация резонансно-туннельного диода в широком интервале частот
- Неравновесные фотоэлектрические процессы в органических низкомолекулярных слоях и полимерах
- Магнитные и структурные свойства наноразмерных слоев ферромагнетик-изолятор-ферромагнетик на основе FeSix и FeOy
- Структурный аспект физико-химических свойств In-, Ga - высококремнеземных цеолитов
- Особенности разогрева и релаксации горячих электронов в тонкопленочных сверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов
- Магнитные и магниторезистивные свойства плотноупакованных нанодисков