- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs
Тип работы:
кандидатская
Год:
2003
Количество страниц:
105
Артикул:
136579 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Метастабильные модификации в процессе формирования нанокристаллов двуйодной ртути
- Моделирование кооперативных атомных явлений при формировании полупроводниковых наноструктур
- Термодинамика и кинетика конденсации на макроскопических ядрах из растворимых поверхностно-активных веществ
- Фотостимулированные изменения состояния поверхностных слоев и микротвердости фольг сплава Cu-Ni
- Тепловые процессы в системах металлизаций полупроводниковых структур и керамик
- Влияние магнитного поля с индукцией до 30 тесла на пластичность и фотопроводимость ионных и молекулярных кристаллов
- Самоорганизация и упорядочение в оксидных и силикатных системах
- Атомная структура аморфных сплавов рения с переходными металлами шестого периода
- Инфракрасная спектроскопия электрически активных примесей в кремнии и германии
- Ионная и электронная проводимость AgBCS3 и CuBCS3 (B=Pb, Sn; C=As, Sb)