- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
191
Артикул:
137274 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
- Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек
- Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
- Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
- Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
- Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
- Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта \"усталости\" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
- Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом