- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
Тип работы:
кандидатская
Год:
2010
Количество страниц:
191
Артикул:
137274 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
- Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А^3 В^5
- Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза
- Влияние отжига, электронного облучения и упругой деформации на проводимость слоев пористого кремния с различной морфологией
- Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV
- Развитие метода эффективной массы для III-U полупроводниковых гетероструктур
- Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
- НЕЛИНЕЙНАЯ ДИНАМИКА ШНУРОВ ТОКА И ФРОНТОВ ИОНИЗАЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ КЛЮЧЕВОГО ТИПА
- Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
- Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода