- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
130
Артикул:
137307 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs1-yNy и InxGa1-xAs1-yNy твердых растворах
- Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне
- Исследование динамических режимов работы газовых сенсоров с целью повышения их избирательности
- Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
- Поверхностные состояния и особенности электропроводности квазидвумерных электронных слоев в МДП- и гетеротранзисторах
- Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2#S4 и ZnAl2#S4
- Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии
- Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси