- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
129
Артикул:
137538 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
- Математические модели процессов, протекающих на границе \"полупроводник - газ\" и межфазных границах структуры \"металлическая плёнка - полупроводник\", помещённой в активный газ
- Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем
- Трехчастичные электрон-дырочные комплексы в квантоворазмерных гетероструктурах
- Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
- Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники
- Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм
- Взаимодействие акцепторов III группы с собственными точечными дефектами в кремнии
- Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии
- Оптическая и магнитооптическая спектроскопия ZnSe и низкоразмерных гетеросистем на его основе