- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
Тип работы:
кандидатская
Год:
2010
Количество страниц:
129
Артикул:
137538 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Исследование эффектов анизотропии электронно-ядерных взаимодействий в диэлектрических кристаллах
- Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур
- Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах
- Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия
- Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона
- Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
- Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)
- Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe: Tl и SnTe: In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
- Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2
- Возбуждение радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров пакетами активных частиц газа большой плотности