- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
184
Артикул:
139704 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии
- Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A2B6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
- Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
- Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
- Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
- Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
- Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
- Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия
- Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs