- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1983
Кількість сторінок:
181
Артикул:
140572 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
- Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых ?-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала
- Гистерезисные и автоволновые явления в полупроводниковом интерферометре Фабри-Перо с термооптической нелинейностью
- Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (λ=1.6-1.85 мкм
- Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н
- Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
- Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях
- Квантовые кинетические уравнения динамики взаимодействующей экситон-поляритонной системы в полупроводниковом микрорезонаторе
- Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
- Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках