- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
122
Артикул:
140806 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия
- Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова
- Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5
- Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
- Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты
- Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе
- Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона
- Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
- Получение твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x методом магнетронного распыления и исследование их свойств