- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe
Тип роботи:
на примере системы ZnS-ZnSe
Рік:
2008
Кількість сторінок:
172
Артикул:
7214 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
- Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
- Электронные и сорбционные процессы в сенсорах на основе гетероструктуры кремний / металлоксидный полупроводник
- Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe
- Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур
- Выращивание и исследование InAsSbP квантовых точек и созданных на их основе фотодетекторов среднего инфракрасного диапазона
- Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах
- Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния
- Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного ?-легированного слоя в GaAs