Ви є тут

Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5

Автор: 

Серебренникова Ольга Юрьевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2011

Артикул:

1005424637

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
• Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе ?-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
• Электронный транспорт в субмикронных кольцевых интерферометрах на основе GaAs полупроводниковых гетероструктур
• Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
• Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3
• Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария
• Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком
• Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
• Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешёточными барьерами
• Исследование энергетических структур твердых тел тензорным методом