- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
Тип роботи:
ил РГБ ОД 61
Рік:
0
Артикул:
505587 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела
- Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом
- Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
- Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
- Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка
- Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями
- Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : λ = 1.3-1.55 мкм
- Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами