Ви є тут

Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом

Автор: 

Камаев Геннадий Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206974

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение
• Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
• Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями
• Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
• Изучение состояния фоновых примесей кислорода и углерода в арсениде галлия
• Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии
• Исследование акустоэлектрических явлений в структуре металл-диэлектрик-CdS-LiNbO/3
• Теория кинетических и размерных эффектов, обусловленных вырождением зон в полупроводниках
• Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
• Физические свойства сложных кристаллов, обусловленные длиннопериодной структурой