Вы здесь

Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом

Автор: 

Камаев Геннадий Николаевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000206974

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• ЭПР примесных центров и некоторые СВЧ характеристики слоистых кристаллов
• Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
• Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
• Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния
• Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния
• Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
• Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
• Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
• Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
• Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя