- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7241 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Поляризационные явления в естественно-неупорядоченных полупроводниках с одиночной электронной парой
- Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
- Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света
- Поляризационные оптические эффекты в системах нанопроволок
- Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
- Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
- Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге
- Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение
- Компьютерное моделирование роста наноструктур