- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2007
Артикул:
7241 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2- 6 эВ
- Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков
- Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур
- Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах
- Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур
- Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках
- Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза
- Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
- Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Компьютерное моделирование роста наноструктур