- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80 Si20, полученных при разных уровнях гравитации
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7420 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
- Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
- Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах
- Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов
- Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
- Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки
- Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
- Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
- Емкостная спектроскопия карбида кремния
- Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона