Отжиг электростатических дефектов полупроводниковых биполярных изделий

Введение. Общая характеристика работы
Глава 1. Дефекты кремниевых биполярных изделий, возникающие при воздействии радиации и электростатических разрядов
1.1. Влияние радиации на полупроводниковые изделия
1.1.1. Виды радиационных повреждений
1.1.2. Ток ионизации в япереходе
1.1.3. Влияние облучения на элементы биполярных ИС
1.2. Отжиг радиационных дефектов
1.2.1. Быстрый отжиг
1.2.2. Медленный отжиг
1.2.3. Термический отжиг
1.2.4. Отжиг под воздействием электрического режима
1.3. Воздействие ЭСР на полупроводниковые кремниевые изделия
1.3.1. Актуальность рассмотрения проблемы воздействия ЭСР на полупроводниковые изделия
1.3.2. Природа возникновения электростатических зарядов при производстве ПНИ
1.3.3. Повреждения, возникающие в кремниевых полупроводниковых изделиях под воздействием ЭСР
1.3.4. Влияние ЭСР на транзисторы
1.3.5. Влияние ЭСР на биполярные ИС
1.4. Отжиг электростатических дефектов Выводы к главе
Глава 2. Отжиг электростатических дефектов биполярных транзисторов
2.1. Методика проведения экспериментов по изучению явления отжига электростатических дефектов
2.1.1. Описание установки генерирования элекгростатических разрядов
2.1.2. Методика определения опасного и допустимого потенциала
2.2. Влияние статического электричества на транзисторы КТ и КТ3
2.2.1. Техническое описание транзисторов КТ и КТ3
2.2.2. Экспериментальная проверка влияния статического электричества на транзисторы КТЗ7 и КТЗ
2.3. Кинетика восстановления коэффициента усиления тока в схеме с общим эмиттером транзисторов КТЗ 2 и КТЗ
2.4. Расчет энергии активации отжига Выводы к главе
Глава 3. Отжиг электростатических дефектов биполярных интегральных схем
3.1. Отжиг электростатических дефектов ИС серии
3.1.1. Технические характеристики ИС серии
3.1.2. Испытание на надежность ИС серии
3.1.3. Иллюстрация отжига электростатических дефектов на примере изменения ВАХ ИС серии
3.2. Отжиг электростатических дефектов ИС серии КР2ЕН
3.2.1. Технические характеристики ИС серии КР2ЕН
3.2.2. Восстановление выходного напряжения ИС серии КР2ЕН после ЭСР испытаниями на надежность
Выводы к главе
Глава 4. Циклическое воздействие ЭСРотжиг на транзисторы
4.1. Влияние циклического воздействия ЭСРотжиг на параметры маломощных транзисторов типа КТ9А
4.1.1 Техническое описание транзисторов типа КТ9А
4.1.2. Влияние статического электричества на транзисторы КТ9А
4.1.3. Описание эксперимента по изучению циклического воздействия ЭСРотжиг на параметры транзисторов КТ9А
4.1.4. Способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов
4.2. Влияние циклического воздействия ЭСРотжиг на параметры маломощных транзисторов типа КТЗ А
4.2.1. Техническое описание транзисторов типа КТ2А
4.2.2. Влияние статического электричества на транзисторы КТЗ А
4.2.3. Циклическое воздействие ЭСРотжиг на параметры транзисторов типа КТЗА
4.3. Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии на основе исследования циклических воздействий ЭСРотжиг
Выводы к главе
Основные результаты и выводы
Список литературы