- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда
Тип работы:
кандидатская
Год:
1983
Количество страниц:
197
Артикул:
181658 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния
- Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
- Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами
- Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения
- Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники
- Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твёрдых растворах на основе висмута
- Электрофизические процессы в диспергированных электрографических слоях на основе окиси-двуокиси (Рb3О4) и полифазной моноокиси (РbОn) свинца