- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1983
Кількість сторінок:
197
Артикул:
181658 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
- Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
- Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах
- Особенности поведения узкозонных полупроводников во внешних полях
- Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления
- Электронная микроскопия имплантированных структур на основе карбида кремния
- Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости
- Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
- Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники