- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324435 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
- Диэлектрические свойства стекол в системах M-As(Sb)-S-I
- Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
- Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия
- Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
- Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых δ-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала
- Математические модели процессов, протекающих на границе полупроводник - газ и межфазных границах структуры металлическая плёнка - полупроводник, помещённой в активный газ
- Електронна поляризовність одновісно навантажених кристалів K2Zn4Cl4 з несумірною фазою
- Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
- Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена