Ви є тут

Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия

Автор: 

Гафиатулина Елена Саугановна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197564

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Фізичні властивості твердих розчинів із стехіометричними вакансіями на основі сульфіду та селеніду ртуті
• Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
• Применение теории гармонических колебаний для описания релаксационной поляризации в высокоглиноземистых керамиках
• Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
• Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
• Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
• Исследование процессов возбуждения предпробойной электролюминесценции в тонкопленочных электролюминесцентных структурах
• Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As
• Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP