- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2013
Артикул:
324643 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Коллективные эффекты в электрон-дырочной плазме и их влияние на излучательную рекомбинацию в полупроводниковых низкоразмерных лазерных гетероструктурах
- Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур
- Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Новые аллотропные формы кремния : Получение и свойства
- Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
- Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии
- Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия
- Влияние оптического излучения на свойства газовых сенсоров на основе нанокристаллических пленок оксида олова
- Отражение света в полупроводниковых гетероструктурах при воздействии модулированным электрическим током