Ви є тут

Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах

Автор: 

Иванкив Игорь Михайлович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000212210

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором
• Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe
• Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации
• Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
• Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств
• Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза
• Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
• Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
• Применение теории гармонических колебаний для описания релаксационной поляризации в высокоглиноземистых керамиках
• Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния