Вы здесь

Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах

Автор: 

Иванкив Игорь Михайлович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1999

Артикул:

1000212210

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
• Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой
• Физические процессы определяющие прочность и долговечность волоконных световодов
• Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау
• Электрические и оптические свойства пиролитических пленок окислов металлов
• Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
• Влияние адсорбции молекул на электрофизические и магнитные свойства нанокомпозитов на основе пористого кремния
• Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах
• Метод расчета и моделирования функциональных схем
• К теории кинетических явлений в двумерных анизотропных системах