Ви є тут

Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур

Автор: 

Муманис Халид

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000222201

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
• Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек
• Вероятностные модели кратковременной электрической прочности и токов утечки случайно-неоднородных конденсаторных диэлектриков
• Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
• Влияние внешних воздействий на структуру и некоторые физические свойства фосфида галлия и кремния
• Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
• Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния
• Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP
• Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
• Омические контакты металл-карбид кремния