Разработка и исследование быстродействующих наноструктур СБИС с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда

ВВЕДЕНИЕ
1. АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ И СНИЖЕНИЯ ЭНЕРГИИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ С УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ МАКСИМУМА АМПЛИТУДЫ ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ ЭЛЕКТРОНОВ В ТУННЕЛЬНОСВЯЗАННЫХ КВАНТОВЫХ ОБЛАСТЯХ
2.1. Методы построения и конструкции логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновой функции электронов в туннельносвязанных квантовых областях
2.2. Технологический маршрут изготовления функционально интегрированных логических элементов на основе туннельносвязанных квантовых областей с электронной проводимостью
2.3. Модели и методика моделирования интегральных логических элементов на основе туннельносвязанных квантовых областей с электронной проводимостью.
2.4. Результаты моделирования интегральных логических элементов на основе туннельносвязанных квантовых областей с
электронной проводимостью.
2.5. Выводы
3. КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ С УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ МАКСИМУМА ВОЛНОВОЙ ФУНКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТУННЕЛЬНОСВЯЗАННЫХ КВАНТОВЫХ ОБЛАСТЯХ .
3.1. Методы построения и конструкции логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновых функций электронов и дырок в туннельносвязанных квантовых областях
3.2. Технологический маршрут изготовления интегральных логических элементов на основе туннельносвязанных квантовых областей с дополняющими типами проводимости
3.3. Модели и методика моделирования логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в туннельносвязанных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости.
3.4. Результаты моделирования логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в туннельносвязанных квантовых областях с
взаимодополняющими типами проводимости.
3.5. Экспериментальные образцы интегральных логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в туннельносвязанных квантовых областях
3.5.1. Разработка структуры и топологии экспериментальных образцов логических элементов на основе туннельносвязанных квантовых областей.
3.5.2. Топология кристаллов экспериментальных образцов.
3.5.3. Технологический маршрут изготовления
экспериментальных образцов.
3.5.3.1. Основные этапы технологического маршрута изготовления экспериментальных образцов и
параметры слоев гетероструктуры
3.5.3.2. Последовательность технологических операций изготовления экспериментальных образцов.
3.5.3.3. Результаты изготовления экспериментальных образцов
3.6. Выводы .
4. СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
КОММУТАТОРЫ С УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ
МАКСИМУМА ВОЛНОВОЙ ФУНКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В
КВАНТОВЫХ ОБЛАСТЯХ .
4.1. Методы построения и конструкции интегральных сверхбыстродействующих коммутаторов с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда
в туннельносвязанных квантовых областях
4.2. Методы построения, конструкции и результаты моделирования интегральных коммутаторов на основе управляемой передислокации максимума волновой функции носителей заряда в объединенных квантовых областях
4.3. Выводы
5. СОВМЕЩЕННЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ С
УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ МАКСИМУМА
ВОЛНОВОЙ ФУНКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА ОСНОВЕ
СВЕРХРЕШЕТОК ВТОРОГО ТИПА
5.1. Методы построения и конструкции совмещенных логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда
5.2. Технологический маршрут изготовления интшральных логических элементов на основе совмещенных комплементарных наноструктур
5.3. Модели и методика моделирования управляемой передислокации максимума волновых функций носителей заряда в совмещенных комплементарных наноструктурах
5.4. Результаты моделирования управляемой передислокации максимума волновых функций носителей заряда в совмещенных комплементарных наноструктурах
5.5. Выводы
6. МЕТОДИКИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СБИС НА ОСНОВЕ НАНОРЛЗМЕРНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ
6.1. Методика проектирования интегральных элементов с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций электронов и дырок в сверхрешетках второго типа.
6.2. Проектирование интегральных устройств статической памяти на основе субмикронных и наноразмерных библиотек
параметризуемых интегральных элементов
6.2.1. Основные требования к библиотечным интегральным
элементам статических ОЗУ.
6.2.2. Методика автоматического синтеза топологии интегральных устройств статической памяти.
6.2.3. Подсистема автоматического синтеза топологии статических
ОЗУ
6.2.4. Результаты проектирования статических ОЗУ на основе субмикронных элементов.
6.3. Интегральные логические элементы СБИС на основе
комплементарных полевых транзисторов Шоттки
6.3.1. Конструкции и технологические маршруты изготовления интегральных элементов СБИС на основе комплементарных транзисторов Шоттки
6.3.2. Моделирование интегральных элементов СБИС на основе комплементарных транзисторов Шоттки
6.3.3. Метод термозависимого питания КПТШэлементов.
6.4. Библиотека совмещенных интегральных элементов СБИС с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей в связанных квантовых областях
6.5. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ