- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
264
Артикул:
181724 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий
- Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение
- Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью
- Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
- Влияние структурных особенностей на оптические и электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических пленок
- Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах
- Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости
- Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)
- Люминесценция и преобразование энергии в минералах, керамиках и катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении