- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе
Тип работы:
кандидатская
Год:
1984
Количество страниц:
264
Артикул:
181724 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
- Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
- Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
- Коллективные явления в проводимости квазиодномерных (пайерлсовских) и квазидвумерных сверхпроводящих кристаллов
- Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
- Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
- Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
- Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
- Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп