- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Кількість сторінок:
184
Артикул:
7202 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175)
- Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита
- Исследование фотоэлектрических свойств неоднородных пленок CdS-PbS и структур на их основе
- Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости
- Влияние поляризации фононов на перенос фононов в полупроводниках и диэлектриках
- Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d -элементами
- Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н
- Размерные эффекты в мезоскопических квантовых системах
- Взаимодействие полупроводников и систем, содержащих наночастицы, с электромагнитным полем