- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7274 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Материальные и полевые характеристики текстурированных поликристаллов и композитов
- Влияние водорода на электрофизические свойства германия в системе полупроводник-электролит
- Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках
- Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
- Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
- Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур
- Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4
- Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда
- Магнитокинетические явления в трехмерном и двумерном электронном газе в сплавах на основе теллурида ртути
- Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора