- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
Тип работы:
01.04.10 Моисеев, Константин Дмитриевич Гетеропе
Год:
2005
Артикул:
7391 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния
- Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
- Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe
- Вторичное свечение в пленках тетраэдрического углерода при лазерном возбуждении
- Выращивание и исследование InAsSbP квантовых точек и созданных на их основе фотодетекторов среднего инфракрасного диапазона
- Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
- Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5
- К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением
- Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик
- Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами