- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
Тип роботи:
01.04.10 Моисеев, Константин Дмитриевич Гетеропе
Рік:
2005
Артикул:
7391 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света
- Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
- Теплопроводность халькогенидов свинца и твердых растворов на основе PbTe
- Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As
- Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
- Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации
- Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях
- Природа примесных состояний, образуемых атомами олова и железа в аморфном кремнии и халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния