- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2007
Артикул:
7242 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
- Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях
- Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе
- Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
- Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы
- Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
- Спектроскопия колебательных состояний в соединениях со структурой шеелита и твердых растворов на их основе
- Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
- Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
- Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния